Author:第2次ベビーブームパパ
[おせち] 山荘京大和 三段御重 |
エルピーダメモリは世界最先端の微細化技術を使ったDRAMを開発、7月から量産する。回路線幅が25ナノ(ナノは10億分の1)メートルのDRAMで、生産効率は現行世代よりも約3割向上する。コスト競争力を高め、パソコンやスマートフォン(高機能携帯電話)などへの供給を目指す。微細化競争を巡っては韓国サムスン電子が先行してきたが、逆転した。
記憶容量が2ギガ(ギガは10億)ビットの世界最小チップを開発した。チップ面積は現行の30ナノメートル台前半を使ったDRAMより小さいため、1枚のシリコンウエハーから取れるチップが増える。生産コストの約3割削減が可能となり、パソコンやスマートフォンなどの小型化・大容量化を容易にした。
7月に広島工場(東広島市)で量産する。容量の大きな4ギガビットDRAMの量産も2011年中に始める。量産投資計画は今後詰める。
DRAMは微細化競争が激しく、この10年はサムスンがおおむね開発と量産時期で先行してきた。エルピーダは今月から本格量産に入った30ナノメートル台のDRAMでもサムスンに約半年遅れたが、1年前から進めた技術開発体制の見直しが奏功、20ナノメートル台では世界初の量産化にこぎ着けた。
DRAMは最先端品でも1年で数十%価格が下がり、微細化で先行されると投資回収が難しくなる。逆に先行して量産すれば値崩れの影響を受けにくく、利益を出せる。
DRAMは新興国の情報端末市場が拡大し、今年2月以降、需要、価格ともに回復基調にある。エルピーダは市況好転時に新製品を投入し、パソコンやスマートフォン、タブレット端末向けの大口受注を狙う。
エルピーダメモリの2011年3月期連結営業利益は前の期に比べ30%増の350億円程度になったもようだ。タブレット端末向けなどに携帯用DRAMの出荷が伸びたほか、微細化によるコスト削減も寄与。東日本大震災の影響も軽微で1月を底に単月ベースの損益も改善しているもよう。通期最終損益も前の期(30億円)程度の黒字を確保したようだ。
11年3月期売上高は9%増の5100億円程度になったようだ。価格低迷でPC用DRAMは低調だったが、スマートフォン(高機能携帯電話)やタブレット端末の需要拡大を背景に年明け以降も携帯用DRAMの出荷が伸びた。1〜3月期の携帯用DRAMの売上高に占める割合は5割弱(10年10〜12月期は約4割)に達したようだ。
携帯用DRAMはPC用DRAMに比べ採算が良く、利益もけん引した。昨年末までに主力の広島工場(東広島市)や台湾の子会社に線幅40ナノ(ナノは10億分の1)メートルの生産ラインを導入したことによるコストダウン効果も大きかった。
期末にかけPC用DRAMの価格低迷による在庫評価損が出たものの、11年1〜3月期の営業損益は60億円程度の赤字と10年10〜12月期(同268億円の赤字)に比べ大幅改善した。
大震災による停電の影響で秋田エルピーダ工場(秋田市)が1日半稼働を停止したがもともと生産量が小さく、損害額は1億円弱とみられる。
11年4〜6月期も携帯用DRAMをテコにした業績改善基調は続きそう。不足が懸念される半導体材料のシリコンウエハーは7月末までの製品出荷分を確保。シリコンウエハー世界首位の信越化学工業子会社の工場も近く再開見通しで8月以降も操業低下を回避できるメドが立っている。
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