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ホットストック：エルピーダ<6665.T>が上伸、独キマンダと次世代ＤＲＡＭを共同開発
2008年 04月 25日 09:16 JST

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　［東京　２５日　ロイター］　エルピーダメモリ(6665.T: 株価, ニュース, レポート)が上伸。２４日に独キマンダ(QI.N: 株価, 企業情報, レポート)と次世代ＤＲＡＭ（記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー）を共同開発すると発表したことを材料視している。２４日のフィラデルフィア半導体株指数が上昇していることも買い安心感につながっている。

　共同開発を進めるのは「４Ｆ２（２は二乗）セル」を使ったＤＲＡＭ。現在の主流は「８」サイズであり、２５％面積を減らした「６」サイズが普及し始めている。「４」サイズは「８」サイズの半分の面積になる。セルが小さくなるとコストを抑えることができるという。

　両社では「４Ｆ２（２は二乗）セル」を使ったＤＲＡＭを２０１０年ごろから導入していく計画だ。

　また両社は製品の相互融通と将来的な合弁工場設立も視野に入れて共同開発を進めるとしている。

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夢と情熱と責任

2008/04/16 09:25
木村 雅秀＝日経エレクトロニクス

　先日，エルピーダメモリ 代表取締役社長 兼 CEOの坂本幸雄氏に取材する機会がありました。同社は台湾United Microelectronics Corp.（UMC社）と協力し，日本市場向けのロジック・ファウンドリー事業に参入することを2008年3月に発表しています（関連記事1，同2）。なぜ今参入するのか，その狙いについて聞きました（詳細は日経エレクトロニクス2008年4月21日号のNEインタビューに掲載します）。

　坂本氏はユー・エム・シー・ジャパン（UMCJ）にいた2001年当時，資本の50％をUMCJ，残り50％を国内LSIメーカーが負担する日本版Si ファウンドリーを立ち上げようとした経緯があります。国内のLSIメーカーが小規模の工場をバラバラに保有するよりも，大規模なSiファウンドリーを作って共同利用した方がコスト効率を高められるとのコンセプトでした。この考え方に国内LSIメーカーも基本的には賛同しましたが，具体的にどのように実現するかを決める段階で計画は頓挫してしまいます。

　この時の状況について坂本氏は「自社だけではどうにもできず，あきらめてしまった」と振り返っています。ところが今回はUMC社との関係だけで計画を完結させました。逆にそれができるくらいエルピーダメモリの能力が高まったともいえます。工場の生産能力は300mmウエハーで11万枚/月近くあり，その一部（3万〜4万枚/月）を使ってファウンドリー事業を展開するので，「オーバーヘッド・コストはほとんど吸収される」（同氏）とのこと。 DRAM価格が急落したので経営を安定化させるためにファウンドリー事業に参入したという事情もあるとは思いますが，むしろそれを可能にする実力を企業として身につけたことの方が大きいと思います。

　企業の成長に関して，坂本氏はファウンドリー事業への参入を発表した3月17日に東京大学で興味深い講演をしていました。つまり，多くの企業は最初「夢」のフェーズからスタートし，「情熱」のフェーズで困難を乗り越えながら成長を遂げ，「責任」のフェーズで社会貢献や安定経営（または凋落）に向かって推移していくというものです。エルピーダメモリは現在，情熱のフェーズにあると同氏は説明していました。今回の取り組みを見ていても，まだまだ新しいことをやってくれそうな雰囲気を感じます。その一例がUMC社との協業で生まれたというDRAMの高速化技術です。詳細は明らかにしませんでしたが， DRAMのトランジスタ工程をエルピーダメモリ，それ以降の工程をUMC社が担当したところ，驚くほどの高速化を達成したといいます。

　一方で今回のエルピーダメモリの取り組みは同社が責任フェーズに入りつつあることも示しているような気がします。今回のファウンドリー事業は，国内LSIメーカーがファブライト化を進める上で重要な受け皿となりうるからです。坂本氏は国内の優秀なLSI設計者がいろんな制約の中で本当の実力を発揮できていないのではないかと危惧しています。中でも大きな制約が自社工場の縛り。「自社工場が空いていると，そこを埋めるための設計が優先され，本当に良いものができていないのではないか。そこのタガを外せたら――」。そう語る同氏からは半導体業界を引っ張ってきた人間としての責任のようなものを感じました。

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2008年3月期の業績見込みのお知らせ

　2008年3月期通期の連結業績の見込みを、下記のとおりお知らせいたします。なお、確定値につきましては、2008年4月25日の発表を予定しております。

記

1. 2008年3月期（2007年4月1日〜2008年3月31日）連結業績の見込み値
（単位：百万円）
売上高 営業利益 経常利益 当期純利益
2008年3月期 見込み値（A） 405,000 △25,000 △40,000 △24,000
2007年3月期 実績（B） 490,039 68,420 63,636 52,943
増減額（A−B） △85,039 △93,420 △103,636 △76,943
増減率（%） △17% − − −
（参考）2008年3月期 第3四半期累計 315,084 943 △8,943 5,699
（参考）2007年3月期 第3四半期累計 345,854 53,488 50,351 44,458

2. 見込み値の概要
　当社の製造・販売するコンピューティングDRAM（PC・サーバ向け）製品の価格は、2006年中は高値水準を維持しましたが、2007年1月より急落し、PC向けの主要製品である512MビットDDR2型SDRAMのスポット価格は、12月までの1年間で80%以上も下落しました。
　第4四半期も市況は回復せず、販売価格は更に低下しました。また、同四半期は高付加価値製品の販売が減少したことから、全体の出荷量は増加したものの、売上高は約900億円（前四半期比△約5%、前年同期比約4割減少）となる見込みです。前四半期比の出荷ビット成長率 (1) は、台湾の生産合弁会社（レックスチップ社）での生産量や歩留まりが計画を上回ったことから、予想値20%を上回る33%となりました。
　第4四半期の営業損失は約260億円（前四半期営業損失89億円）となる見込みです。これは70ナノメートルプロセスでの生産量増加により、チップ当たりのコスト低減は大幅に進んだものの、前述のPC向けDRAMの販売価格下落、プロダクトミックスの悪化および円高の影響から、売上総利益が減少したことが主な要因です。同四半期の当社DRAM製品のビット当たりの平均販売価格は、PC向け製品の販売量が増加したことから大きく低下し、前四半期比26%の下落となりました。在庫評価損は販売価格が低水準で推移したことにより50億円弱となる見込みです。また、回収可能性に疑義のある売掛債権につき、26億円の貸倒引当金を計上する予定です。
　この結果、2008年度3月期は、売上高約4,050億円（前年同期比17%減）、営業損失約250億円、経常損失約400億円、また当期純損失につきましては、第1四半期に広島200mmウェハ対応設備の売却益約220億円を計上したことにより、約240億円にとどまる見込みです。

　なお、業績の確定値および詳細につきましては、4月25日に発表予定の決算短信にてご報告させていただきます。

以上

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東芝、ＨＤ-ＤＶＤ事実上撤退へ・ブルーレイ勝利

　東芝が「ＨＤ―ＤＶＤ」規格の新世代ＤＶＤから事実上撤退する見通しになった。ソニー陣営の「ブルーレイ・ディスク（ＢＤ）」との規格争いで劣勢に立たされ、事業を抜本的に見直す方針を固めた。これにより電機業界を二分してきた新世代ＤＶＤの標準規格争いは、ＢＤ方式の勝利で決着することになる。

　東芝は事業の見直し策としてレコーダー（録画再生機）の販売を中止してプレーヤー（再生専用機）などに特化する案や、販売不振の日本と米国から撤退して欧州市場に専念する案の検討に入った。週内にも決める。完全撤退も「選択肢の１つ」（東芝首脳）という。

　米映画会社パラマウント・ピクチャーズや米マイクロソフトがＨＤ規格のソフトやゲーム機用記憶装置を販売しているため、東芝だけで撤退を決めるのは難しい状況。こうした企業と協議しながら最終方針を決める。当面は商品を絞って販売を続ける可能性が高いが、事業を縮小して世界標準獲得を断念することで、販売低迷に拍車がかかり、撤退に追い込まれる公算が大きい。

[2008年2月17日/日本経済新聞　朝刊]

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3,680〔+70〕円 15:00
出来高 4,522,000株

始値 3,360円 9:22
高値 3,790円 14:48
安値 3,310円

＜東証＞エルピーダが反落――｢ＤＲＡＭに底値感｣も連騰の反動
01/22 10:38

◇＜東証＞エルピーダが反落――｢ＤＲＡＭに底値感｣も連騰の反動
（10 時35分、コード6665）反落。一時は前日比300円（8.3％）安の3310円まで下げ、その後は下げ渋っているものの安い水準で推移している。きょうは日経平均の下落が続く地合いの中、エルピーダが前日まで３日続伸し通算で795円（28.2％）上げていた反動による売りが優勢となっている。22日付の日本経済新聞朝刊は「代表的な半導体メモリーであるパソコン用ＤＲＡＭの価格に底値感が台頭している」と報道。もっとも前日までの連騰は証券会社によるリポートが材料視され、ＤＲＡＭのスポット価格の上昇をおおむね織り込んでいたとみられ、きょうの株価に対する影響は限定的となっている。


　同報道によると、ＤＲＡＭの１月前半の大口需要家向け価格は10期ぶりに据え置きで決着。一部メーカーの生産調整などで需給が引き締まってきたことや、安値販売を回避する動きが目立ってきたことが背景にある。〔ＮＱＮ〕

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＜東証＞エルピーダが続落――韓国サムスン､｢DRAM過剰は上半期続く｣
（12時34分、コード6665）続落。９日以来３営業日ぶりに昨年来安値を更新し、前週末比140円安の3070円まで下げている。水準としては2005年11月９日以来の安値。韓国の半導体・液晶大手サムスン電子（@005930/KO）が15日発表した2007年10―12月期決算は、主力製品のＤＲＡＭが価格下落に見舞われた影響が大きく、営業利益は前年同期比13％減の１兆7800億ウォン（約2058億円）だった。開示資料で同社は「ＤＲＡＭの供給過剰は上半期中は続く」ともしたことから、連想売りがエルピーダに波及したという。
　もっとも、サムスンの決算ではＤＲＡＭは不振だったが、液晶パネルや携帯電話は好調で、営業利益はダウジョーンズ通信がまとめた市場予想平均（１兆5200億ウォン）は上回った。このため、15日の韓国株式市場でサムスン電子は続伸している。〔ＮＱＮ

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世界最小チップ、65nmプロセス1GビットDDR2 SDRAMを開発
2008年第１四半期から量産

エルピーダメモリ株式会社（本社：東京都中央区、代表取締役社長 兼CEO：坂本幸雄　以下、エルピーダ）は、このたび、65nmプロセスを用いた1GビットDDR2 SDRAMを開発いたしました。65nmの新プロセス導入による世界最小チップの製品です。

　「1GビットDDR2 SDRAMは65nmの新プロセスおよび従来より培ってきた設計技術により、世界最小チップを実現できました。エルピーダは、512Mビットから1Gビット品への世代交代を早め、ローコストかつハイパフォーマンスな1GビットDRAMを生産できる体制を整えたといえます。」　−プロセス関連総括執行役員　五味秀樹

　当社は昨年12月に他社に先駆け70nmプロセスでの量産を開始、コスト低減をすすめてまいりました。現在では広島エルピーダE300ファブのみならず、台湾レックスチップでも70nmプロセスでの量産を行っています。
　このたび開発した65nmプロセスは70nmプロセスと同様の製造装置により量産が可能で、プロセス転換もスムーズに行うことができます。また、広島エルピーダの量産ラインでプロセス開発を行う当社独自の開発方式により、スムーズな量産移行が見込まれます。

　65nmプロセス開発にあたっては、70nmプロセス量産品の実測データをもとに技術の積み上げを行い、新規65nmプロセスの成功へとつなげました。

　新製品は本年12月からサンプル出荷を開始、2008年第１四半期からの量産を予定しています。また、第２四半期には同技術を台湾レックスチップにも導入し、さらなる量産を図ってまいります。

以上

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レックスチップの開所式を開催

　エルピーダメモリ株式会社（本社：東京都中央区、代表取締役社長兼CEO：坂本幸雄　以下、エルピーダ）と、Powerchip Semiconductor Corp.（Chairman：Dr. Frank Huang、以下、PSC）との合弁会社、Rexchip Electronics Corporation（President：Stephen C.K. Chen　以下、レックスチップ）は、本日、台湾・中部サイエンスパークにて開所式を開催いたしました。

　開所式はPSC会長Dr. Frank Huangと当社社長の坂本により執り行われました。レックスチップの総投資額が台湾最大規模の共同出資案件であるため、開所式には日本、台湾のハイテク企業、金融業の方々を含む多数のご来賓に参加いただきました。台湾からは立法院院長 王金平（Wang Jin-Pyng）と共にレックスチッププロジェクトの有力な支援者であった前行政院長（首相）の蘇貞昌（Su Tseng Chang）をはじめ、政府関係者やお取引先の皆様にご参加いただきました。

　Dr. Frank Huangは次のようにコメントしています。「設立合意から開所式まで、レックスチップは1年に満たない短期間でオペレーションを開始することができました。記録的なことです。これはPSCとエルピーダとのパートナーシップの成功だけでなく、台湾半導体業界の効率の良さをも示すものです。」
　坂本は「市況変動の激しいDRAM業界においても、レックスチップは世界規模の生産キャパシティと世界最低コストの300mmウェハDRAM生産拠点として今後も台湾で成長していくでしょう。」と述べています。

　PSC とエルピーダは、昨年の12月に合弁会社の設立合意を発表、第1ファブ（R1）から第4ファブ（R4）までの設備投資総額1兆6千億円（4500億台湾ドル）を見込む世界最大規模のDRAM生産拠点を計画しています。その後10ヶ月に渡る工事により、R1と事務棟は既に完成しています。現在、月産3万枚規模の70nmプロセス製造設備が搬入されており、今年の第4四半期には、1GビットDDR2 SDRAMの量産出荷を予定しています。

　レックスチップの安定稼動により、PSCおよびエルピーダの利益および製品の安定供給に大きく貢献すると見込んでおり、世界No.1のDRAMカンパニーという目標に向かって着実に前進してまいります。

レックスチップの概要（2007年10月現在）
商号 Rexchip Electronics Corporation
レックスチップ エレクトロニクス コーポレーション
社長（President） Stephen C.K. Chen
本社所在地 台湾・台中県后里（HouLi, Taichung County, Taiwan）
資本金 450億台湾ドル
出資比率 エルピーダ 50％、PSC 50％
主な事業内容 エルピーダおよびPSC向けDRAM製造（前工程）
生産品目 1GビットDDR2 SDRAMの製造（70nmプロセス）
従業員数 約1,800人
敷地面積 196,000m2

以上

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ラムバスは，エルピーダメモリと協力して，世界トップクラスのXDR™ DRAMを開発

コンシューマ機器の世界では，アナログからデジタルに移行する動きが進んだ。いまはデジタル技術に磨きをかけて，さらに高いパフォーマンスをシステムから引き出す局面を迎えている。こうした動きが進むとともに，DRAMの高速化に対する要求は一段と高まる。こうした動きを先取りしたラムバスは，エルピーダメモリと協力して，世界トップクラスのXDR™ DRAMを開発した。この経緯や開発の背景などについて，エルピーダメモリの石川透氏とラムバスのAndy Chan氏に聞いた。

―― エルピーダメモリ株式会社（以下エルピーダ）とラムバス社（以下ラムバス）の関係について教えてください。
石川透氏

石川氏
　高性能DRAMにおけるエルピーダとラムバスの長年にわたるコラボレーションが始まったのは，NECとラムバスがRDRAM®インタフェイス技術の技術ライセンス契約を締結した1991年に遡ります。1999年にNECと日立製作所が，ジョイントベンチャーでエルピーダを設立。それ以降，エルピーダとラムバスは様々なプロジェクトを通じて密接な協調関係を築いてきました。2003年には，DRAMポートフォリオにラムバスの XDR™メモリテクノロジを加えるため，ラムバス社とXDRメモリ技術に関する技術ライセンス契約を締結し，2005年からXDR DRAMの出荷を開始いたしました。

―― XDR DRAMの開発はどのように始まりましたか？

Chan氏
　XDRメモリインタフェイスは，様々なアプリケーションに対応するように考案されています。SCEとラムバスが緊密な協力関係を築き，PS3の性能要求に対応するべくアーキテクチャの向上を図りました。メモリアーキテクチャとともにプロセッサバスインタフェイスの性能要求も考慮のうえ，XDRの採用が性能・コスト要求を満たす最適なソリューションとSCEに判断して頂いたのです。

石川氏
　先端メモリ・ソリューションの開発におけるエルピーダとラムバスの長年にわたる関係の中で，エルピーダにとってラムバスのエンジニアリング・チームと次世代のメモリ技術について議論をすることは当然のことでした。ラムバスは，次世代アプリケーション向けメモリの設計と開発において，市場のニーズを的確に捉えていました。その結果，PLAYSTATION®3，プロジェクタ，および，グラフィックサーバーなどでXDRテクノロジーが採用されました。

―― XDR DRAMに適するアプリケーションは何ですか。またその理由をお聞かせ下さい。
アンディチャン氏

Chan氏
　柔軟性の高いXDRメモリ・アーキテクチャは，デジタル・コンシューマ機器，コンピューティング，グラフィックスなど，様々なアプリケーションに対応できるように設計されています。XDR DRAMと他のDRAM製品との違いは，ピン数の削減によって，システムコストを抑えながら，優れたパフォーマンスのメモリ信号で高いレベルの性能を実現していることです。また，x16 XDR DRAMデバイスはプログラム可能なビット幅を実装しており，16ビット幅に加えて，8ビット幅，4ビット幅，2ビット幅および1ビット幅のデータバスをサポートしています。さらにXDR DRAMは低コストの量産向けプリント基板やパッケージを採用しています。

石川氏
　デジタルTVやプロジェクタなど最新のデジタル・コンシューマ機器では，リアルな画像を実現するための高性能メモリが求められています。高解像度コンテンツの多重ストリーム，イメージプロセッシングの向上，動き補正タスク，10ビット以上のカラーを扱うにあたって，少ないデバイス数ながら高いバンド幅を実現するメモリが必要です。XDR DRAMは16ビット幅のXDR DRAM１個で6.4GB/sのバンド幅を実現します。これは，XDRを制御するコントローラ側のピン数削減というメリットをもたらします。つまり XDRDRAMは，より少ないデバイスで高バンド幅を実現するのでデジタル・コンシューマ機器に最適なメモリ・アーキテクチャと言えます。

―― エルピーダとラムバスのエンジニアリング・チームはどのようにXDR DRAMの開発に取り組みましたか？
XDRメモリアーキテクチャ
XDRメモリアーキテクチャ

Chan氏
　XDR DRAMでは，低コストのDRAM製造プロセスを使いながら，業界初の3.2GHz動作と100％の歩留まりを達成することが目標でした。このために，新たな回路ソリューションが必要でした。性能を犠牲にすることなくシステムのパワーバジェットを確保したり，量産向け高速デバイスの評価と測定を可能にするための新しいテスターおよびテスト手法も考案したりすることも課題でした。

　エルピーダの協力のもと，我々はこれらの技術的課題を克服し，業界最速のDRAMを実現することに成功しました。ラムバスにとってエルピーダのエンジニアリング・チームの深い専門知識は大変貴重なものです。一方，ラムバスには，システムのアーキテクチャ，高速I/O設計，システム全体とメモリチップ・コンポーネントのシグナル・インテグリティ対策などに強みがあります。両社のこれらの専門知識を統合することにより，様々な課題を克服することができたのです。

石川氏
　エルピーダとラムバスは，ラムバス社のIPをもとに，エルピーダのプロセスにあわせながら回路調整をどのように行なうか等，オープンにディスカッションしました。また，単なる回路調整ではなく，評価，量産上必要となる機能の追加なども行い，最終的にエルピーダの生産フローに対応できるようにXDRインタフェイスをカスタマイズしました。またラムバス社は，メモリやコントローラデバイスだけでなく基板を含めたトータルソリューションを提供していますので，この超高速インタフェイスを4層基板で実現できました。

Chan氏
　両社のエンジニアリング・チームは，XDR DRAMの性能と歩留まりの向上などに引き続き注力しています。現在両社で，4.0GHzや4.8GHzのデバイスなど，さらに高性能なXDR DRAMの開発を進めております。これらの高性能デバイスには，市場のニーズにこたえるために，さらに進んだプロセス技術が用いられるでしょう。

―― デジタル・コンシューマ向けDRAMの今後の展開についてお聞かせ下さい。

石川氏
　デジタル・コンシューマ分野では，デバイスの高速化が市場拡大のキーになると考えています。エルピーダでは，現在70nmプロセスの512MビットXDR DRAMの生産を開始していますが，このデバイスをベースに，4.0GHz〜4.8GHzと高速化を進めます。さらに今後は，6.4GHzクラスの高速品を製品化することも検討しています。容量に関しても，現在，512Mビットですが，顧客の要求に応じて1Gビット・クラスのXDR DRAMを開発する予定です。

―― 最後に，今回のエルピーダとラムバスの協調関係についてお二人それぞれからコメントをお聞かせ下さい。

石川氏
　今回のエルピーダとラムバスの協調関係は大成功だったと思います。その結果，XDR DRAMという超高速のメモリ市場を構築できました。今後もラムバスと協調し，お客様が要求する世界最高速のメモリを提供し続け，それが，両社の更なる成功につながると思います。

Chan氏
　ラムバスは，エルピーダとともにXDR DRAMを実現できたことを大変誇りに思っております。我々は，今後もエルピーダとのコラボレーションを継続することによって市場が求める先端DRAMソリューションをお客様に提供し，両社がともに成功を収めることを期待しています。

“RDRAM”は米国およびその他の国においてラムバス社の登録商標です。“XDR”，“FlexPhase”は同社の商標です。
“PLAYSTATION”は，株式会社ソニー・コンピュータエンタテインメントの登録商標です。

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ノートパソコンがすぐ止まってしまうんですよね・・・

メモリ不足とかメッセージ出るんだけど・・・

いつもの強制終了　ＣＴＲＬ　＋　ＡＬＴ　＋　ＤＥＬ　攻撃するか・・・

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